近年來，國家從宏觀層面對第三代半導體尤其是以SiC（碳化硅）為代表的寬禁帶半導體材料出臺大力支持的各項政策。濟南魯晶半導體有限公司——碳化硅功率器件封裝及應用創(chuàng)新項目被列為2018年度山東省第三批技術創(chuàng)新項目。值此之際，濟南魯晶半導體特邀山東大學、山東交通學院、山東管理學院多位教授，國務院政府津貼專家及濟南高新區(qū)領導于2019年3月11日在濟南魯晶半導體有限公司順利召開碳化硅功率器件應用研討會。
會議上首先由濟南魯晶半導體有限公司總經(jīng)理徐文匯介紹魯晶半導體碳化硅項目進展情況以及碳化硅功率器件可行性報告。報告從以下方面進行闡述：國家宏觀項目支持；SiC功率器件產(chǎn)品應用、產(chǎn)業(yè)鏈、制造工藝；SiC功率器件發(fā)展趨勢及市場競爭；濟南基礎優(yōu)勢及市場預期。
并提出產(chǎn)業(yè)化工作與目標：
1、 碳化硅功率器件研發(fā)及制造產(chǎn)業(yè)化工作項目圍繞以魯晶半導體為核心的封裝測試生產(chǎn)線以及后端應用產(chǎn)業(yè)鏈，遴選前沿性、創(chuàng)新性和迫切需求，突破 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中出現(xiàn)的若干關鍵技術問題，實現(xiàn)重大科技成果產(chǎn)業(yè)化。
2、強強聯(lián)合山東上下游，不斷打造并壯大碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈。
3、項目通過建立技術合作及產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，圍繞碳化硅器件封測相關工藝技術不斷探索交流，推動和促進 SiC 功率器件研發(fā)與應用乃至濟南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展。
隨后有請各位專家針對項目做發(fā)言，在會議中，大家暢所欲言，積極互動，探討碳化硅功率器件應用前景，為我們此次研討會注入新鮮知識與活力。大家一致認為硅基功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，使得功率密度的增長出現(xiàn)了飽和趨勢，其發(fā)展速度已無法滿足市場的高性能要求，SiC 功率器件的發(fā)展及應用前景顯而易見。
在此次會議上濟南魯晶半導體特聘請各位專家為該項目的高級顧問，通過建立技術合作及產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，推動和促進SiC功率器件研發(fā)及應用。
最后，由魯晶半導體有限公司總經(jīng)理徐文匯做了總結發(fā)言，山東第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢在必行，碳化硅功率器件應用前景廣闊，隨后邀請各位專家合影留念。
此次碳化硅功率器件應用研討會的順利召開預示著魯晶半導體碳化硅功率器件應用研究將以更先進更前沿的技術為支撐，加速濟南 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)鏈形成，推動和促進 SiC 功率器件研發(fā)與應用乃至濟南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展，形成新的經(jīng)濟增長點。
地址：濟南市高新區(qū)飛躍大道2016號創(chuàng)新工場F1/F3
濟南魯晶半導體有限公司 保留所有權利。
