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MOS晶體管是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應用。本文我們主要介紹MOS晶體管的分類有哪些？

下面我們主要從兩個方面來介紹MOS晶體管的分類：

MOS晶體管按溝道區(qū)中載流子類型分為兩類：N溝MOS晶體管和P溝MOS晶體管。

N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N+，溝道中載流子為電子；

P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重摻雜的P+，溝道中載流子為空穴。

在正常情況下，只有一種類型的載流子在工作，因此也稱其為單極晶體管。

MOS晶體管按工作模式分為增強型晶體管和耗盡型晶體管：

增強型晶體管：若在零柵壓下不存在漏源導電溝道，為了形成導電溝道，需要施加一定的柵壓，也就是說溝道要通過“增強”才能導通；

耗盡型晶體管：器件本身在漏源之間就存在導電溝道，即使在零柵壓下器件也是導通的。若要使器件截止，就必須施加柵壓使溝道耗盡。

MOS晶體管件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞，在使用過程中要注意電路負載情況。

濟南魯晶半導體有限公司是一家以半導體二極管、三極管、MOS管、碳化硅器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為主導的高新技術(shù)企業(yè)，對于產(chǎn)品的質(zhì)量及參數(shù)有較高的要求，且型號眾多，提供客戶最優(yōu)方案。